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AOT412中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOT412
廠商型號

AOT412

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

絲印標識

DP2AK

封裝外殼

TO-263

文件大小

282.78 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 17:02:00

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AOT412規(guī)格書詳情

? DESCRITION

? Be suitable for synchronous rectification for server and

general purpose applications

? FEATURES

? Drain Current –ID= 60A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage-

: VDSS= 100V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 15.8mΩ (Max)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOT412

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 60A TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SDMOS™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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