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AOT410L中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOT410L
廠商型號

AOT410L

功能描述

100V N-Channel MOSFET SDMOS?

文件大小

324.94 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 16:03:00

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AOT410L規(guī)格書詳情

General Description

The AOT410L/AOB410L is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge & low Qrr.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applications.

Product Summary

VDS 100V

ID (at VGS=10V) 150A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 6.5m?

RDS(ON) (at VGS= 7V)

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOT410L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 150A TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SDMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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