AO9926B中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
AO9926B |
功能描述 | Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
981.73 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
企業(yè)簡稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-4 19:00:00 |
人工找貨 | AO9926B價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
AO9926B規(guī)格書詳情
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
? TrenchFET? Power MOSFET
? 100 Rg Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
AO9926B
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個(gè) N 溝道(雙) FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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24+ |
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AOS |
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SOIC-8L |
500000 |
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SOP-8 |
20000 |
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3000 |
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AOS |
23+ |
SOP-8 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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AOS/萬代 |
24+ |
SOP-8 |
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
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