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AO6605中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO6605
廠商型號(hào)

AO6605

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

186.58 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-6 23:01:00

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AO6605規(guī)格書詳情

General Description

The AO6605 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications.

Standard Product AO6605 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6605L is a Green Product ordering option. AO6605 and AO6605L are electrically identical.

特性 Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 20V -20V

ID = 1.9A (VGS = 4.5V) -2.5A

RDS(ON)

< 200m? < 97m? (VGS = 4.5V)

< 270m? < 130m? (VGS = 2.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO6605

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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