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AO6603中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

AO6603
廠商型號(hào)

AO6603

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

283 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-8 13:09:00

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AO6603規(guī)格書(shū)詳情

General Description

The AO6603 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6603 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6603L is a Green Product ordering option. AO6603 and AO6603L are electrically identical.

特性 Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 20V -30V

ID = 1.7 (VGS = 4.5V) -2.5A

RDS(ON)

< 225m? (VGS = 4.5V) < 135m? (VGS = -10V)

< 290m? (VGS = 2.5V) < 185m? (VGS = 2.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO6603

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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