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AO5600EL中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO5600EL
廠商型號

AO5600EL

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

948.55 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 23:01:00

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AO5600EL規(guī)格書詳情

General Description

The AO5600E/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications.AO5600E and AO5600EL are electrically identical.

-RoHS compliant

-AO5600EL is Halogen Free

特性 Features

n-channel

VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)

RDS(ON)< 0.65? (VGS= 4.5V)

RDS(ON)< 0.75? (VGS= 2.5V)

RDS(ON)

p-channel

VDS (V) = -20V, ID = -0.5A (VGS=-4.5V)

RDS(ON)< 0.8? (VGS= -4.5V)

RDS(ON)< 1.0? (VGS= -2.5V)

RDS(ON)

ESD PROTECTED!

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AO/萬代
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SC89-6
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原廠渠道 可含稅出貨
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