AO5600E中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
AO5600E規(guī)格書詳情
General Description
The AO5600E/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications.AO5600E and AO5600EL are electrically identical.
-RoHS compliant
-AO5600EL is Halogen Free
特性 Features
n-channel
VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)
RDS(ON)< 0.65? (VGS= 4.5V)
RDS(ON)< 0.75? (VGS= 2.5V)
RDS(ON)
p-channel
VDS (V) = -20V, ID = -0.5A (VGS=-4.5V)
RDS(ON)< 0.8? (VGS= -4.5V)
RDS(ON)< 1.0? (VGS= -2.5V)
RDS(ON)
ESD PROTECTED!
產(chǎn)品屬性
- 型號:
AO5600E
- 功能描述:
MOSFET COMPL 20V .6A/.5A SC89-6L
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個 N 溝道(雙) FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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