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AO3413中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO3413
廠商型號

AO3413

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

958.67 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

KERSEMI

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 20:00:00

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AO3413規(guī)格書詳情

General Description

The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

特性 Features

VDS (V) = -20V

ID = -3 A

RDS(ON) < 97m? (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 130m? (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO3413

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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