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AO3410中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO3410
廠商型號

AO3410

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

396.34 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

KERSEMI

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-9 19:10:00

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AO3410規(guī)格書詳情

General Description

The AO3410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V and as high as 12V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

特性 Features

VDS (V) = 30V

ID = 5.8 A

RDS(ON) < 28m? (VGS = 10V)

RDS(ON) < 33m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 52m? (VGS = 2.5V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO3410

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ALPHA
24+
SOT23-3
880000
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