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AFGHL75T65SQDC數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
AFGHL75T65SQDC |
參數(shù)屬性 | AFGHL75T65SQDC 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT |
功能描述 | IGBT with SiC copack diode |
封裝外殼 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-15 11:20:00 |
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AFGHL75T65SQDC規(guī)格書詳情
描述 Description
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the
1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL75T65SQDC
offers the optimum performance with both low conduction and
switching losses for high efficiency operations in various applications,
especially totem pole bridgeless PFC and Inverter
特性 Features
? SiC schottky co-pack diode
? zero diode recovery losses
? Fast switching IGBT
? Low Eon and Eoff losses
? AEC-Q101 qualified
? automotive compatible
? Tight parameter distribution and Positive temperature co-efficient
? easy paralelleing
應(yīng)用 Application
? Totem pole bridgeless PFC
? On Board chargers
? HV DC-DC converters
? Hybrid Electric Vehicles
? Battery electric vehicles
簡(jiǎn)介
AFGHL75T65SQDC屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的AFGHL75T65SQDC晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
:AFGHL75T65SQDC
- 生產(chǎn)廠家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:650
- IC Max (A)
:75
- VCE(sat) Typ (V)
:1.6
- VF Typ (V)
:1.45
- Eoff Typ (mJ)
:0.24
- Eon Typ (mJ)
:0.48
- Trr Typ (ns)
:NA
- Irr Typ (A)
:NA
- Gate Charge Typ (nC)
:139
- Short Circuit Withstand (μs)
:NA
- EAS Typ (mJ)
:NA
- PD Max (W)
:375
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-247-3LD
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
TO-247-3L |
9550 |
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