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AFGHL30T65RQDN數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
AFGHL30T65RQDN |
| 參數(shù)屬性 | AFGHL30T65RQDN 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A |
| 功能描述 | IGBT - 650 V 30 A - Short circuit rated FS4? - Automotive qualified |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-14 13:31:00 |
| 人工找貨 | AFGHL30T65RQDN價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
AFGHL30T65RQDN規(guī)格書詳情
描述 Description
Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of?FS4?IGBTs offer the optimum performance for?automotive applications. This technology is Short circuit rated and offers high figure of merit with low conduction and switching losses.
特性 Features
? AEC Q101 qualified
? suitable for automotive application
? Maximum Junction Temperature : TJ = 175℃
? Higher Reliability
? Positive Temperature Co-efficient
? Easy Parallel Operating
? Low Saturation Voltage
? Low Conduction Losses
? Tighten Parameter Distribution
? Suitable for Paralling
? High Current Capability
? Short circuit rated
應(yīng)用 Application
? E-compressor
? PTC heater
? Hybrid electric vehicles
? Electric vehicles
簡介
AFGHL30T65RQDN屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的AFGHL30T65RQDN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
AFGHL30T65RQDN
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.82V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
340μJ（開），320μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
18ns/68ns
- 測試條件：
400V，15A，2.5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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