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AFGHL25T120RHD數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
AFGHL25T120RHD |
| 參數(shù)屬性 | AFGHL25T120RHD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：1200V/25A FSII IGBT TO247 AUTOMO |
| 功能描述 | IGBT - Automotive Grade low cost 1200 V 25 A |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-14 14:25:00 |
| 人工找貨 | AFGHL25T120RHD價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
AFGHL25T120RHD規(guī)格書詳情
描述 Description
AEC Q101 qualified?Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction. Provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss offers optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application.
特性 Features
? AEC Q101 qualified
? Automotive grade
? Tight Parameter distribution
? Suitable for parallelling
? Low Vcesat
? Low conduction losses
? Low Eoff & Eon
? Low switching losses
應(yīng)用 Application
? HEV-EV PTC heater
? HEV-EV e-compressor
? HEV-EV on board charger
? Electric vehicles
? Hybrid electric vehicles
簡介
AFGHL25T120RHD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的AFGHL25T120RHD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
AFGHL25T120RHD
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，25A
- 開關(guān)能量：
1.94mJ（開），770μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
27ns/118ns
- 測試條件：
600V，25A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
1200V/25A FSII IGBT TO247 AUTOMO
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-247-3L |
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