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AFGH4L25T120RWD中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AFGH4L25T120RWD
廠商型號(hào)

AFGH4L25T120RWD

功能描述

IGBT - Power, Co-PAK, N-Channel, Field Stop VII (FS7), SCR, TO247-4L 1200 V, 1.38 V, 25 A

文件大小

512.87 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-25 19:17:00

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AFGH4L25T120RWD規(guī)格書詳情

描述 Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 4?lead package, this device offers the optimum

performance with low on state voltage and minimal switching losses

for both hard and soft switching topologies in automotive applications.

特性 Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? Maximum Junction Temperature ? TJ = 175?C

? Short Circuit Rated and Low Saturation Voltage

? Fast Switching and Tightened Parameter Distribution

? AEC?Q101 Qualified, PPAP Available Upon Request

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS

Compliant

Applications

? Automotive E?compressor

? Automotive EV PTC Heater

? OBC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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TO-247-4
25000
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26800
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