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AFGB40T65RQDN中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AFGB40T65RQDN
廠商型號

AFGB40T65RQDN

功能描述

IGBT for Automotive Applications 650 V, 40 A

文件大小

248.65 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 23:01:00

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AFGB40T65RQDN規(guī)格書詳情

Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of

FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive

applications. This technology is Short circuit rated and offers high

figure of merit with low conduction and switching losses.

特性 Features

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(Sat) = 1.55 V (Typ.) @ IC = 40 A

? 100% of the Parts Tested for ILM (Note 2)

? High Input Impedance

? Fast Switching

? Tightened Parameter Distribution

? This Device is Pb?Free and RoHS Compliant

Typical Applications

? E?compressor for HEV/EV

? PTC Heater for HEV/EV

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
NA/
11250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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24+
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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D2PAK
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公司只做原裝正品,假一賠十
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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