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CEU30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-27A,RDS(ON)=76mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=92mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-100V,-30A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=92mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU30P10A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-29A,RDS(ON)=55mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. Switchedmode

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

HM30P10K

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

LMAK30P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LMAK30P10K

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LMFB30P10K

LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

NCE30P10S

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30P10Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司

SK30P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

YJG30P10A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    P

  • ID（25℃）：

    -30

  • RDS(on) mΩ(Max)VGS=10V：

    38

  • RDS(on) mΩ(Max)VGS=4.5V：

    45

  • VGS：

    ±20

  • VGS（th)：

    -2.5

  • Package：

    TO252

  • Qg (nC)：

    69

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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只做原裝進(jìn)口,自己庫(kù)存
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只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
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更多ADM30P10E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 17:10:00

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