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ADM30P10E

絲?。?strong>ADM30P10E；Package：TO-252-2；P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●ReliableandRugged ●100%EASGuaranteed

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

ADM30P10E

MOSFET;

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

ADM30P10Q

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●ReliableandRugged ●100%EASGuaranteed

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

AP30P10GH-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP30P10GI

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP30P10GP-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP30P10GS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

CED30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-100V,-30A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=92mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED30P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-27A,RDS(ON)=76mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=92mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED30P10A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -100V,-29A,RDS(ON)=55mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. Switchedmode

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    P

  • ID（25℃）：

    -30

  • RDS(on) mΩ(Max)VGS=10V：

    38

  • RDS(on) mΩ(Max)VGS=4.5V：

    45

  • VGS：

    ±20

  • VGS（th)：

    -2.5

  • Package：

    TO252

  • Qg (nC)：

    69

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ADM30P10E供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 15:01:00

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