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935152492510-T3S電容器的硅電容器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
935152492510-T3S |
參數(shù)屬性 | 935152492510-T3S 封裝/外殼為0201(0603 公制);包裝為托盤;類別為電容器的硅電容器;935152492510-T3S應(yīng)用范圍:高穩(wěn)定性;產(chǎn)品描述:CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201 |
功能描述 | Ultra-BroadBand Silicon Capacitor UBSC 0201M 10nF BV11 |
封裝外殼 | 0201(0603 公制) |
文件大小 |
1.48023 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | MURATA1 |
中文名稱 | 村田 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-13 23:01:00 |
人工找貨 | 935152492510-T3S價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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935152492510-T3S規(guī)格書詳情
935152492510-T3S屬于電容器的硅電容器。由村田制作所制造生產(chǎn)的935152492510-T3S硅電容器硅電容器和薄膜電容器是使用半導(dǎo)體器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此,所提供的極高精度和控制能力可生產(chǎn)出具有卓越參數(shù)穩(wěn)定性且近乎理想的電容器,但參數(shù)值范圍相對有限,并且與最直接的競爭對手陶瓷器件相比,成本要高得多。
? Broadband performance up to 67 GHz
? Resonance free
? Phase stability
? Insertion loss < 0.4dB Typ. up to 60 GHz.
? Ultra-high stability of capacitance value:
o Temperature 70ppm/K (-55 °C to +150 °C)
o Voltage <-0.1/Volt
o Negligible capacitance loss through ageing
? Low profile: 140 μm including bump height
? Break down voltage : 11V
? Low leakage current < 100pA
? High reliability
? High operating temperature (up to 150 °C)
? Compatible with high temperature cycling
during manufacturing operations (exceeding 300 °C)
? Compatible with EIA 0201 footprint
? SAC305 40μm bumps after reflow
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
935152492510-T3S
- 制造商:
Murata Electronics
- 類別:
電容器 > 硅電容器
- 系列:
UBSC
- 包裝:
托盤
- 容差:
±15%
- ESL(等效串聯(lián)電感):
100pH
- 應(yīng)用:
高穩(wěn)定性
- 特性:
高可靠性,小尺寸
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C
- 封裝/外殼:
0201(0603 公制)
- 高度:
0.006"(0.14mm)
- 大小 / 尺寸:
0.024" 長 x 0.012" 寬(0.60mm x 0.30mm)
- 描述:
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
muRata(村田) |
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