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935152424610-T3N電容器的硅電容器規(guī)格書PDF中文資料

935152424610-T3N
廠商型號(hào)

935152424610-T3N

參數(shù)屬性

935152424610-T3N 封裝/外殼為0402(1005 公制);包裝為托盤;類別為電容器的硅電容器;935152424610-T3N應(yīng)用范圍:高穩(wěn)定性;產(chǎn)品描述:CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402

功能描述

Ultra-Broadband Silicon Capacitor UBSC 0402 100nF BV11
CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402

封裝外殼

0402(1005 公制)

文件大小

1.17635 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

MURATA1

中文名稱

村田

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-14 10:06:00

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935152424610-T3N規(guī)格書詳情

935152424610-T3N屬于電容器的硅電容器。由村田制作所制造生產(chǎn)的935152424610-T3N硅電容器硅電容器和薄膜電容器是使用半導(dǎo)體器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此,所提供的極高精度和控制能力可生產(chǎn)出具有卓越參數(shù)穩(wěn)定性且近乎理想的電容器,但參數(shù)值范圍相對(duì)有限,并且與最直接的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手陶瓷器件相比,成本要高得多。

? Ultra-Large band performance up to 67 GHz

? Resonance free

? Phase stability

? Insertion low < 0.3dB Typ. up to 60 GHz

? Ultra-high stability of capacitance value:

o Temperature 70ppm/K (-55 °C to +150 °C)

o Voltage <-0.1/Volt

o Negligible capacitance loss through ageing

? Low profile: 400μm, 100 μm on request

? Break down voltage : 11V

? Low leakage current < 100pA

? High reliability

? High operating temperature (up to 150 °C)

? Compatible with high temperature cycling

during manufacturing operations (exceeding 300 °C)

? Compatible with EIA 0402 footprint

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    935152424610-T3N

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 類別:

    電容器 > 硅電容器

  • 系列:

    UBSC

  • 包裝:

    托盤

  • 容差:

    ±15%

  • ESL(等效串聯(lián)電感):

    100pH

  • 應(yīng)用:

    高穩(wěn)定性

  • 特性:

    高可靠性,小尺寸

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C

  • 封裝/外殼:

    0402(1005 公制)

  • 高度:

    0.006"(0.14mm)

  • 大小 / 尺寸:

    0.047" 長(zhǎng) x 0.028" 寬(1.20mm x 0.70mm)

  • 描述:

    CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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