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Marking：8P4F6；Package：PowerFLAT；P-channel 40 V, 0.0175 廓 typ.,8 A, STripFET??F6 Power MOSFET in a PowerFLAT??3.3 x 3.3 package Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET?F6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages. Features ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團 | STMICROELECTRONICS |
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