71V67703數(shù)據(jù)手冊集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
71V67703 |
| 參數(shù)屬性 | 71V67703 封裝/外殼為119-BGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 3.3V 256K x 36 Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM |
| 封裝外殼 | 119-BGA |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-20 23:01:00 |
| 人工找貨 | 71V67703價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
71V67703規(guī)格書詳情
描述 Description
The 71V67703 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 36. The 71V67703 SRAM contains write, data, address and control registers. There are no registers in the data output path (flow-through architecture). The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
Fast access times 7.5ns up to 117MHz clock frequencyLBO input selects interleaved or linear burst modeSelf-timed write cycle with global write control (GW), byte writeenable (BWE), and byte writes (BWx)3.3V core power supplyPower down controlled by ZZ input3.3V I/O supply (VDDQ)Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
71V67703S75BG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
9Mb（256K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
119-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
24+ |
NA/ |
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