71V67602數(shù)據(jù)手冊(cè)集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
71V67602 |
| 參數(shù)屬性 | 71V67602 封裝/外殼為119-BGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 3.3V 256K x 36 Synchronous 2.5V I/O PipeLined SRAM |
| 封裝外殼 | 119-BGA |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-20 13:01:00 |
| 人工找貨 | 71V67602價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
71V67602規(guī)格書詳情
描述 Description
The 71V67602 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 36. The 71V676 SRAM contains write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
High system speed 166MHz (3.5ns clock access time)
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte
write enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
2.5V I/O supply (VDDQ)
Available in 100-pin TQFP and 119-pin BGA packages
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號(hào)：
71V67602S133BGG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲(chǔ)容量：
9Mb（256K x 36）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
119-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
90-VFBGA |
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