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70P255L65BYGI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
70P255L65BYGI |
參數(shù)屬性 | 70P255L65BYGI 封裝/外殼為100-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 128KBIT PAR 100CABGA |
功能描述 | VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
封裝外殼 | 100-TFBGA |
文件大小 |
442.33 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
23 頁 |
生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
中文名稱 | 瑞薩 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-18 23:01:00 |
人工找貨 | 70P255L65BYGI價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
70P255L65BYGI規(guī)格書詳情
特性 Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ One port with dedicated time-muliplexed address/data
(ADM) interface
◆ One port configurable to standard SRAM or time-multiplexed
address/data interface
◆ High-speed access
– Industrial: 65ns (max.), ADM mode
– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode
◆ Low-power operation
IDT70P265/255/245L
Active: 27mW (typ.)
Standby: 3.6μW (typ.)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
70P255L65BYGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲容量:
128Kb(8K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
65ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
100-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
100-CABGA(6x6)
- 描述:
IC SRAM 128KBIT PAR 100CABGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
24+ |
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2100 |
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