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70P249L65BYGI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
70P249L65BYGI |
| 參數(shù)屬性 | 70P249L65BYGI 封裝/外殼為100-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100CABGA |
| 功能描述 | VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 100-TFBGA |
| 文件大小 |
151.32 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產廠商 | RENESAS |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網址 | |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-18 10:51:00 |
| 人工找貨 | 70P249L65BYGI價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
70P249L65BYGI規(guī)格書詳情
特性 Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ Both ports configurable to standard SRAM or timemultiplexed
address/data interface
◆ High-speed access
– Industrial: 65ns (max.), ADM mode
– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode
◆ Low-power operation
IDT70P269/259/249L
Active: 27mW (typ.)
Standby: 3.6μW (typ.)
◆ Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's
產品屬性
- 產品編號：
70P249L65BYGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲容量：
64Kb（4K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
65ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-TFBGA
- 供應商器件封裝：
100-CABGA（6x6）
- 描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100CABGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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