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65R009M1

型號：IMBG65R009M1H；Package：PG-TO263-7；CoolSiC? M1 CoolSiC? MOSFET 650 V G1

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compati

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多65R009M1供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:20:00

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