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Marking：60N10F7；Package：PowerFLAT；N-channel 100 V, 0.0145 ??typ., 12 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe7thgenerationofSTripFET? DeepGATE?technology,withanewgate structure.TheresultingPowerMOSFETexhibits thelowestRDS(on)inallpackages. Features ?Ultralowon-resistance ?100avalanchetested Appli | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團 | STMICROELECTRONICS |
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