描述 Description

The 2STR1215 is a NPN transistor manufactured using new \\\"PB-HCD\\\" (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

The complementary PNP is the 2STR2215.

特性 Features

? Very low collector-emitter saturation voltage
? Fast switching speed
? High current gain characteristic
? Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

簡介

2STR1215屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由制造生產(chǎn)的2STR1215晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。