描述 Description

The device in a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

The complementary PNP is the 2STR2160.

特性 Features

? Very low collector-emitter saturation voltage
? High current gain characteristic
? Fast switching speed
? Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

簡介

2STR1160屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由制造生產(chǎn)的2STR1160晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。