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2SJ687-ZK-E2-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SJ687-ZK-E2-AY
廠商型號

2SJ687-ZK-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

167.41 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

NEC

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 9:07:00

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2SJ687-ZK-E2-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?10 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = ?3.0 V, ID = ?10 A)

RDS(on)3 = 20 mΩ MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?10 A)

? 2.5 V drive available

? Avalanche capability ratings

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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