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2SJ681中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SJ681
廠商型號

2SJ681

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSIII)

文件大小

253.7 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 15:20:00

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Relay Drive, DC?DC Converter and Motor Drive Applications

● 4-V gate drive

● Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.12 ? (typ.) (VGS = ?10 V)

● High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)

● Low leakage current: IDSS = ?100 μA (max) (VDS = ?60 V)

● Enhancement mode: Vth = ?0.8 to ?2.0 V (VDS = ?10 V, ID = ?1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SJ681

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U−MOSIII)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO-3P
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原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
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TOSHIBA/東芝
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TO-252
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全新原裝現(xiàn)貨
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