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2SJ652

General-Purpose Switching Device Applications

Features ?ON-resistanceRDS(on)1=28.5mΩ(typ.) ?InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) ?4Vdrive

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SJ652

P-Channel Power MOSFET

Features ?ON-resistanceRDS(on)1=28.5mΩ(typ.) ?InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) ?4Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SJ652

General-Purpose Switching Device Applications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SJ652-1E

P-Channel Power MOSFET

Features ?ON-resistanceRDS(on)1=28.5mΩ(typ.) ?InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) ?4Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SJ652_12

General-Purpose Switching Device Applications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SJ652

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SANYO/三洋
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TO-220
8000
原裝正品支持實(shí)單
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更多2SJ652供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00