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2SJ652-1E中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SJ652-1E
廠商型號(hào)

2SJ652-1E

功能描述

P-Channel Power MOSFET

文件大小

255.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-6 20:00:00

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2SJ652-1E規(guī)格書詳情

特性 Features

? ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.)

? Input capacitance Ciss=4360pF (typ.)

? 4V drive

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SJ652-1E

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    PCH 4V DRIVE SERIES

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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