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2SA1362分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA1362
廠商型號

2SA1362

參數(shù)屬性

2SA1362 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 15V 0.8A SMINI

功能描述

Low Frequency Power Amplifier Applications

絲印標識

AEG

封裝外殼

SOT-346 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

192.65 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-9 23:01:00

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2SA1362規(guī)格書詳情

Low Frequency Power Amplifier Applications

Power Switching Applications

? High DC current gain: hFE= 120~400

? Low saturation voltage: VCE (sat)= ?0.2 V (max)

(IC= ?400 mA, IB= ?8 mA)

? Suitable for driver stage of small motor

? Small package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SA1362-GR,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 8mA,400mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    120MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.8A SMINI

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
24+
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