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2SA1360中文資料新澤西半導體數據手冊PDF規(guī)格書

2SA1360
廠商型號

2SA1360

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

179 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導體 新澤西半導體產品股份有限公司

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-15 16:20:00

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2SA1360規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage-

:V(BR)CEO=-150V(Min)

? Complement to Type2SC3423

APPLICATIONS

? Designed for audio frequency amplifier applications.

產品屬性

  • 型號:

    2SA1360

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Pb-FF TO126 PLS PLN-N,ACTIVE,

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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