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2N7002PV中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N7002PV
廠商型號(hào)

2N7002PV

功能描述

60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

ZF

封裝外殼

SOT-666

文件大小

168.81 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 未知制造商
企業(yè)簡(jiǎn)稱

恩XP

中文名稱

未知制造商

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-15 20:00:00

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2N7002PV規(guī)格書詳情

General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

● Logic-level compatible

● Very fast switching

● Trench MOSFET technology

● AEC-Q101 qualified

Applications

● Relay driver

● High-speed line driver

● Low-side loadswitch

● Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N7002PV

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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