2N7002P中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
2N7002P |
功能描述 | 60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT-23 |
文件大小 |
173.25 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | 未知制造商 |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
恩XP |
中文名稱 | 未知制造商 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-15 20:00:00 |
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更多2N7002P規(guī)格書(shū)詳情
General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Features and benefits
■ Logic-level compatible
■ Very fast switching
■ Trench MOSFET technology
■ AEC-Q101 qualified
Applications
■ Relay driver
■ High-speed line driver
■ Low-side loadswitch
■ Switching circuits
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
2N7002P
- 功能描述:
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
SOT23 |
54648 |
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恩XP |
17+ |
SOT23-3 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23-3 |
20000 |
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21+ |
SOT-23 |
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恩XP |
1942+ |
SOT-23 |
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恩XP |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原裝正品 |
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恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原裝,正品 |
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恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
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恩XP |
25+ |
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