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2N7002P中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2N7002P
廠商型號(hào)

2N7002P

功能描述

60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

LW-

封裝外殼

SOT-23

文件大小

173.25 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 未知制造商
企業(yè)簡(jiǎn)稱

恩XP

中文名稱

未知制造商

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-15 20:00:00

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2N7002P規(guī)格書(shū)詳情

General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

■ Logic-level compatible

■ Very fast switching

■ Trench MOSFET technology

■ AEC-Q101 qualified

Applications

■ Relay driver

■ High-speed line driver

■ Low-side loadswitch

■ Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N7002P

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60 V 360 mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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