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2N6040分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6040
廠商型號

2N6040

參數(shù)屬性

2N6040 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 60V 8A TO220

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

151.37 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-11 17:26:00

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2N6040規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

?· High DC Current Gain-

: hFE = 1000(Min)@ IC= -4A

? Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = -60V(Min)

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -4A

? Complement to Type 2N6043

APPLICATIONS

? Designed for general purpose amplifier and low speed

switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6040

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 16mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 8A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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