2N6039分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
2N6039 |
參數(shù)屬性 | 2N6039 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3 |
功能描述 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
封裝外殼 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
113.74 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-11 18:00:00 |
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2N6039規(guī)格書詳情
Plastic Darlington complementary silicon power transistors are designed for general purpose amplifier and low?speed switching applications.
特性 Features
? ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
Human Body Model, 3B; > 8000 V
? Epoxy Meets UL 94 V?0 @ 0.125 in
? Pb?Free Packages are Available*
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N6039
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 40mA,4A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 2A,3V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-32-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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