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2ED2110S06M

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2110S06M

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode; \n優(yōu)勢:\n? High current gate driver - suitable for high current power device, and high frequency application\n? Integrated bootstrap diode - space savings, reduced BOM cost, smaller PCB at lower cost with simpler design\n? 50% lower level-shift losses\n? Excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2110S06MXUMA1

Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：LEVEL SHIFT SOI

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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16-SOIC(0.295 7.50mm 寬)
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更多2ED2110S06M供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:12:00

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