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2ED2110S06M集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2ED2110S06M
廠商型號(hào)

2ED2110S06M

參數(shù)屬性

2ED2110S06M 封裝/外殼為16-SOIC(0.295",7.50mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:LEVEL SHIFT SOI

功能描述

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
LEVEL SHIFT SOI

封裝外殼

16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

文件大小

1.12505 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-4 23:00:00

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2ED2110S06M規(guī)格書(shū)詳情

2ED2110S06M屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的2ED2110S06M柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2ED2110S06MXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高壓側(cè)和低壓側(cè)

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    6V,14V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2.5A,2.5A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    25ns,17ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-SOIC

  • 描述:

    LEVEL SHIFT SOI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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