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2ED2104S06F集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

2ED2104S06F
廠商型號(hào)

2ED2104S06F

參數(shù)屬性

2ED2104S06F 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:LEVEL SHIFT SOI

功能描述

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode
LEVEL SHIFT SOI

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

1.14564 Mbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 18:00:00

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2ED2104S06F規(guī)格書詳情

2ED2104S06F屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的2ED2104S06F柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2ED2104S06FXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.1V,1.7V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    CB,cCSAus,CE,CQC,TUV

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    70ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-DSO-8-69

  • 描述:

    LEVEL SHIFT SOI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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