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2ED2101S06F集成電路(IC)的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

2ED2101S06F
廠商型號

2ED2101S06F

參數屬性

2ED2101S06F 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅動器;產品描述:LEVEL SHIFT SOI

功能描述

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode
LEVEL SHIFT SOI

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

776.08 Kbytes

頁面數量

26

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
INFINEON
數據手冊

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更新時間

2025-8-3 9:08:00

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2ED2101S06F價格和庫存,歡迎聯系客服免費人工找貨

2ED2101S06F規(guī)格書詳情

2ED2101S06F屬于集成電路(IC)的柵極驅動器。由英飛凌科技股份公司制造生產的2ED2101S06F柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅動的半導體配置相關。

特性 Features

? Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology

? Negative VS transient immunity of -100 V

? Floating channel designed for bootstrap operation

? Operating voltages (VS node) upto + 650 V

? Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V

? Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode

? 100 ns dead-time with integrated shoot-through prevention logic

? Logic operational up to –11 V on VS Pin

? Negative voltage tolerance on inputs of –5 V

? Independent under voltage lockout for both channels

? Schmitt trigger inputs with hysteresis

? 3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible

? Maximum supply voltage of 25 V

? DSO-8 package

? RoHS compliant

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2ED2101S06FXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅動配置:

    高壓側和低壓側

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.1V,1.7V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    CB,cCSAus,CE,CQC,TUV

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    70ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    PG-DSO-8-69

  • 描述:

    LEVEL SHIFT SOI

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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