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2ED2101S06F

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Features ?UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology ?NegativeVStransientimmunityof-100V ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Operatingvoltages(VSnode)upto+650V ?Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+675V ?Integratedultra-fast,low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2101S06F

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2101S06F

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode; \n優(yōu)勢:\n? Integrated bootstrap diode - space savings, reduced BOM cost, smaller PCB at lower cost with simpler design\n? 50% lower level-shift losses\n? Excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2101S06FXUMA1

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：LEVEL SHIFT SOI

InfineonInfineon Technologies AG

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更多2ED2101S06F供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 10:35:00

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