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Marking：20N60A4D；Package：TO-247；SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode 600 V TheHGTG20N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitching devicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolar transistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFET andthelowon?stateconductionlossofabipolartransistor.Themuch loweron?statevoltagedropvariesonlymode | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
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