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082

型號(hào)：7448991082；WE-MCRI SMT Molded Coupled Inductor

GeneralInformation: AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+85°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團(tuán)

082N10NS

型號(hào)：IPA082N10NF2S；Package：PG-TO220FullPAK；StrongIRFETTM2Power-Transistor

Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

082N10N

型號(hào)：IPD082N10N3G；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?VDS=100V ?ID(atVGS=10V)=80A ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

082N10NS

型號(hào)：IPP082N10NF2S；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM2Power-Transistor

Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

082A

型號(hào)：NJM082CAG；Package：SOP8；LOW NOISE, J-FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

FEATURES ●WidePowerSupplyRange±4to±18V ●InternalESDProtection HumanBodyModel(HBM)±2000Vtyp. ●HighInputResistance1012Ωtyp. ●WideTemperatureRange-40°Cto125°C ●BipolarTechnology ●HighSlewRate13V/μstyp. ●WideUnityGainBandwidth3MHztyp. ●Package NJM072C/072CA/08

NJRCNew Japan Radio

新日本無(wú)線株式會(huì)社

082A

型號(hào)：NJM082CAV；Package：SSOP8；LOW NOISE, J-FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

FEATURES ●WidePowerSupplyRange±4to±18V ●InternalESDProtection HumanBodyModel(HBM)±2000Vtyp. ●HighInputResistance1012Ωtyp. ●WideTemperatureRange-40°Cto125°C ●BipolarTechnology ●HighSlewRate13V/μstyp. ●WideUnityGainBandwidth3MHztyp. ●Package NJM072C/072CA/08

NJRCNew Japan Radio

新日本無(wú)線株式會(huì)社

082N10LS

型號(hào)：BSC082N10LSG；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

082N10NS

型號(hào)：IPA082N10NF2S；Package：PG-TO220；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

082N10NS

型號(hào)：IPP082N10NF2S；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

082N65S3F

型號(hào)：NTB082N65S3F；Package：D2PAK-3；MOSFET ??N??hannel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 40 A, 82 m

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多082供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 11:06:00

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