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SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES *625mWPOWERDISSIPATION *ICCONT2.5A *ICUpTo10APeakPulseCurrent *ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) *ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. *Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導體 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-12V ?IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-10APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. ?RCE(sat)=72m?at2.5Aforalowequivalenton-resistance ?625mWpowerdissipation ?hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導體 | DIODES | ||
PNPSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?ExtremelyLowSaturationVoltage ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Marking:718 | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司 | MCC | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導體 | DIODES | ||
PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT618 | PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司 | PJSEMI | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES *625mWPOWERDISSIPATION *ICCONT2.5A *ICUpTo10APeakPulseCurrent *ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) *ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. *Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導體 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導體 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES *625mWPOWERDISSIPATION *ICCONT2.5A *ICUpTo10APeakPulseCurrent *ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) *ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. *Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導體 | DIODES | ||
SOT23PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FeaturesandBenefits ?BVCEO>-20V ?IC=-1AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat) | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導體 | DIODES | ||
MediumPowerTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210mùat1.5A. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN |
產品屬性
- 產品編號：
ZXTPS718MCTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
PNP + 二極管（隔離式）
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 350mA，3.5A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
25nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 2A，2V
- 頻率 - 躍遷：
180MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-WDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：
DFN3020B-8
- 描述：
TRANS PNP 20V 3.5A DFN3020B-8
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/ |
21+ |
42664 |
12588 |
原裝正品假一罰十 |
詢價 | ||
DIODES |
1809+ |
DFN-8 |
3675 |
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詢價 | ||
DIODES/美臺 |
23+ |
NA |
6000 |
原裝正品假一罰百!可開增票! |
詢價 | ||
ZETEX/DIODES |
23+ |
DFN3020B-8 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ZETEX/DIODES |
23+ |
DFN3020B-8 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
DIODES |
22+ |
NA |
12080 |
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詢價 | ||
ZETEX/DIODES |
23+ |
DFN3020B-8 |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
ZETEX/DIODES |
10+ |
DFN3020B-8 |
6000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Diodes Incorporated |
2022+ |
8-DFN(3x2) |
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DIODES/ZETEX |
24+ |
NA/ |
15250 |
原裝現貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 |
