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ZXTN25040DFLTA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

ZXTN25040DFLTA
廠商型號(hào)

ZXTN25040DFLTA

參數(shù)屬性

ZXTN25040DFLTA 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 40V 1.5A SOT23-3

功能描述

40V, SOT23, NPN low power transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

446.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺(tái)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 13:01:00

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ZXTN25040DFLTA規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

Advanced process capability has been used to achieve high current gain hold up making this device ideal for applications requiring high pulse currents.

特性 Features

? High peak current

? Low saturation voltage

? 130V forward blocking voltage

? 6V reverse blocking voltage

Applications

? MOSFET and IGBT gate driving

? DC-DC conversion

? LED driving

? Interface between low voltage ICs and loads

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ZXTN25040DFLTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    285mV @ 400mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 10mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    190MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 1.5A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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