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ZX5T849ZTA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

ZX5T849ZTA
廠商型號(hào)

ZX5T849ZTA

參數(shù)屬性

ZX5T849ZTA 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 6A SOT89-3

功能描述

30V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

119.98 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ZETEX

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-19 23:01:00

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ZX5T849ZTA規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Packaged in the SOT89 outline this new 5th generation low saturation 30V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

FEATURES

? Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 23mΩ at 6.5A

? 6 amps continuous current

? Up to 20 amps peak current

? Very low saturation voltages

? Excellent hFE characteristics up to 20 amps

APPLICATIONS

? DC - DC converters

? MOSFET gate drivers

? Charging circuits

? Power switches

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ZX5T849ZTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    190mV @ 300mA,6.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 6A SOT89-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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