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BAT754L

Schottkybarriertriplediode

DESCRIPTION Threeinternal(galvanic)isolatedsiliconepitaxialSchottkybarrierdiodesinaSOT363smallSMDplasticpackage. FEATURES ?Verylowforwardvoltage ?Guardringprotected ?Lowdiodecapacitance ?ThreeindependentdiodesinasmallplasticSMDpackage. APP

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BAT754L

Schottkybarriertriplediode

1.1Generaldescription ThreeinternalisolatedplanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringfor stressprotection,encapsulatedinverysmallSOT363Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowcapacitance ?AEC-Q101

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAT754L-Q

Schottkybarriertriplediode

1.Generaldescription ThreeinternalisolatedplanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstress protection,encapsulatedinverysmallSOT363Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowcapacitance ?Qualifiedac

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAT754-Q

Schottkybarrierdiode

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedina smallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowcapacitance ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecom

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAT754S

Schottkybarrierdoublediodes

DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT23smallplasticSMDpackage.LowforwardvoltageselectionoftheBAT54series.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES ?Verylowforwardvoltage ?Guardringprotected ?Small

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BAT754S

Schottkybarrier(double)diodes

Features Ultrahighswitchingspeed Guardringprotected SmallplasticSMDpackage Lowdiodecapacitance.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BAT754S

Schottkybarrierdiodes

1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowcapacitance ?AEC-Q101qualified 1.3

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAT754S-Q

DualSchottkybarrierdiode

1.Generaldescription PlanardualSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowcapacitance ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101and

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CBAT754

SURFACEMOUNTSILICONSCHOTTKYDIODES

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CBAT754A

SURFACEMOUNTSILICONSCHOTTKYDIODES

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    ZTX754STOB

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT -

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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