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YQ30NL10SE數(shù)據(jù)手冊ROHM中文資料規(guī)格書
| 廠商型號 |
YQ30NL10SE |
| 功能描述 | Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名稱 | 羅姆 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-7 16:01:00 |
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YQ30NL10SE規(guī)格書詳情
描述 Description
The YQ30NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temperatures. Ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications.
特性 Features
? High reliability
? Power mold type
? Low VF and low IR
? Low capacitance
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：YQ30NL10SE
- 生產(chǎn)廠家
：ROHM
- 封裝
：LPDL
- 包裝數(shù)量
：1000
- 最小獨(dú)立包裝數(shù)量
：1000
- 包裝形態(tài)
：Taping
- RoHS
：Yes
- Configuration
：Single
- Package Code
：TO-263L
- Number of terminal
：3
- VRM[V]
：100
- Reverse Voltage VR[V]
：100
- Average Rectified Forward Current IO[A]
：30
- IFSM[A]
：200
- Forward Voltage VF(Max.)[V]
：0.86
- IF @ Forward Voltage [A]
：30
- Reverse Current IR(Max.)[mA]
：0.15
- VR @ Reverse Current[V]
：100
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：10.1x15.1 (t=4.7)
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BELDENW |
24+ |
BGA |
182 |
詢價(jià) | |||
BLD |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
BELDENW.. |
24+ |
BGA |
3500 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) | ||
AMPHENOL |
DIP |
17000 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
24+ |
N/A |
64000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
BELDENW |
2023+ |
BGA |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ROHM Semiconductor |
2338 |
100 |
Rohm授權(quán)代理,自營現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
Amphenol |
22+ |
NA |
6878 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | ||
ROHM Semiconductor |
23+ |
100 |
原裝正品現(xiàn)貨,德為本,正為先,通天下! |
詢價(jià) | |||
BELDENWIRE |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) |
