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BFP740	文件：1.78828 Mbytes Page：6 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighgainultralownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain ●Goldmetallizationforextrahighreliability ●150GHzfT-SiliconGermaniumtechnology ●OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=0.85dBat6GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
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BFP740F	文件：157.87 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainultralownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformancefor awiderangeofwirelessapplications upto10GHzandmore ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz Outstandingnoise	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BFP740FESD	文件：1.93887 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP740FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.2VandcurrentsuptoIC=45mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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